ST 在 Enlit Europe 展示智能电网芯片组和 NB-IoT 模块
近日,在巴黎举行的 Enlit Europe 能源论坛上,ST 重点介绍了用于智能计量的 Prime v1.4 认证芯片组和用于移动设备的 NB-IoT 模块,展示了一款评估套件 (EVLKST850
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2023-12-04
Novocomms 利用 NovoSat 双端口天线减轻 L 频段负载
RF 天线设计和制造专家 Novocomms 推出了 NovoSat——一款轻型双端口 L 波段天线。该公司强调,它重 5 克,具有高性能 GNSS 功能,使用实例包括卫星电话或全球卫星定位系统。
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2023-12-04
Picocom 推出小型低功耗 5G 小型蜂窝 O-RU
Picocom 最近推出了PC805,声称是业界首款针对 5G 小型蜂窝 Open RAN 无线电单元 (O-RU) 进行优化的片上系统 (SoC)。小尺寸、低功耗 5G O-RU SoC 旨在简化
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2023-12-01
OSTAR Projection Compact LED 系列增加 RGB 版本
艾迈斯欧司朗为其 OSTAR Projection Compact LED 系列添加了红色、真绿色和蓝色 (RGB) 颜色,用于机器视觉系统和舞台照明灯具。这些低调、超高亮度 LED 还可用于投影仪和
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2023-12-01
Teledyne e2v 推出下一代 CMOS 图像传感器
Teledyne Technologies 旗下公司 Teledyne e2v 宣布推出其下一代全局快门 CMOS 图像传感器系列 Emerald Gen2。新的最先进的系列提供了改进的性能和更大的灵
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2023-12-01
尽管地缘政治紧张局势存在不确定性,但RISC-V架构仍在继续发展
在不断变化的半导体和计算技术环境中,RISC-V指令集架构 (ISA) 因具有改变工业某些方面的潜力而脱颖而出。然而,当前的地缘政治事件带来了不确定性,给开源技术带来了挑战,特别是围绕政府对其开发和实
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2023-12-01
Arbe 发布 48 RX x 48 TX 量产雷达处理器
Arbe Robotics 向Embedded.com 独家透露,该公司已经发布了用于 OEM 开发项目和 B-Sample 雷达的雷达处理器的量产版本。该公司表示,与目前最强的雷达处理器替代品相比,
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2023-12-01
固态光继电器应对高频、ATE 信号切换的方法
最基本的开/关继电器切换功能,通常称为 1-Form A(常开 - NO),可以通过机电继电器 (EMR) 或固态继电器 (SSR) 来满足,但这只是其中的一部分接力的故事。对于高速信号,尤其是自动测
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2023-11-30
瑞萨电子公布汽车处理器第五代 R-Car SoC
瑞萨电子公布了下一代 R-Car 系列中即将推出的两项 MCU 进展。其中之一是新的跨界 MCU 系列,旨在为即将推出的汽车架构中的域和区域电子控制单元 (ECU)提供所需的性能。该公司进一步宣布将推
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2023-11-30
ST汽车级双运算放大器TSB182融合了中等电压和精度
这款意法半导体出品的符合 AEC-Q100 标准的双运算放大器在 MiniSO-8 中融合了两个难以组合的属性。
ST MicroElectronics开发的 TSB182 双运算放大器就是一个
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2023-11-30
金刚石半导体器件具有最高的击穿电压
伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的研究人员开发了一种由金刚石制成的半导体器件,与之前报道的金刚石器件相比,该器件具有最高的击穿电压和最低的漏电流。
据估计,目前全球50%的电力是由电力设备控制的,预
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2023-11-30
英飞凌推出采用PQFN封装的15V沟槽型功率MOSFET
英飞凌推出了 OptiMOS7 系列,被认为是业界首款 15 V 沟槽功率 MOSFET 技术。OptiMOS 7 15 V 系列主要针对服务器、计算、数据中心和人工智能应用的优化 DC-DC 转换。
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2023-11-30
尼吉康将推出“UTH”系列引线型线性铝电解电容器,105℃环境下工作寿命可长达5000小时
尼吉康将推出“UTH”系列引线型线性铝电解电容器。在105℃下工作寿命可长达5000小时,并且比该公司以前的产品更小。将于2023年11月开始量产和发货。
尼吉康于2023年10月宣布,将开发并
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2023-11-29
具有四个 Arm Cortex-X4 内核的智能手机旗舰 SoC
2023 年 11 月,联发科技发布了天玑 9300,这是一款面向智能手机的旗舰 SoC(片上系统)。搭载该产品的智能手机预计将于 2023 年底发布。
该产品采用台积电第三代4nm工艺。它具有
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2023-11-29
意法半导体宣布推出1200V耐压、车用SiC功率电源模块
近期,意法半导体发布了ACEPACK DMT-32系列双列直插式汽车SiC(碳化硅)功率模块。该系列配备耐压1200V的SiC功率开关。采用该公司第二代和第三代SiC MOSFET技术,导通电阻已降至
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2023-11-29