伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的研究人员开发了一种由金刚石制成的半导体器件，与之前报道的金刚石器件相比，该器件具有最高的击穿电压和最低的漏电流。

　　据估计，目前全球50%的电力是由电力设备控制的，预计不到十年，这一数字将增加到80%，同时， 2050年电力需求将增加50%。

　　“为了满足这些电力需求并使电网现代化，我们必须从传统材料（例如硅）转向我们今天所采用的新材料（例如碳化硅）和下一代半导体（超宽带隙）领导这项研究的电气和计算机工程教授 Can Bayram 以及研究生 Zhuoran Han 说道。这项工作的结果发表在《IEEE Electron Device Letters》杂志上。

　　在这项工作中，Bayram 和 Han 展示了他们的金刚石装置（上图测量尺寸为 4 mm x 4 mm）可以承受大约 5 kV 的高电压，尽管电压受到测量设置的限制，而不是来自装置本身。理论上，该装置可承受高达 9 kV 的电压。这是金刚石装置报告的最高电压。除了最高的击穿电压外，该器件还表现出最低的漏电流，这会影响器件的整体效率和可靠性。

　　Han 说：“我们构建了一种更适合未来电网和其他电力应用的高功率、高电压应用的电子设备。我们在超宽带隙材料合成金刚石上构建了该设备，与当前一代设备相比，它具有更高的效率和更好的性能。希望我们能够继续优化该设备和其他配置，以便我们能够接近金刚石材料潜力的性能极限。”