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NTS2101PT1G的功能特点与应用

NTS2101PT1G是一款P沟道功率MOSFET，提供-8V漏源电压和-1.4A连续漏极电流。它适用于高端负载开关，充电电路，单体电池应用，如手机，数码相机和PDA。一、NTS2101PT1G的功能

技术资料｜来源：全部｜标签：NTS2101PT1G 2024-02-25