什么是内光电效应？内光电效应是指当光子的能量高于某一材料的导带与价带间的带隙时，光子被吸收，导致电子从价带跃迁到导带并形成自由电子和空穴的现象。这一过程中，光子被材料吸收，其中的能量用于克服表面势垒，使电子离开材料表面。内光电效应的应用广泛，例如在太阳能电池中就利用了内光电效应将光能转化为电能。

　　内光电效应和外光电效应的区别

　　内光电效应和外光电效应都是光电效应的不同形式。它们的区别在于光电效应产生的位置不同。

　　内光电效应是指在半导体中，当光子能量大于或等于其带隙能量时，光子被吸收并产生电子空穴对，这些电子和空穴在半导体中自由移动并产生电流，从而产生光电效应。内光电效应的产生位置在半导体内部。

　　外光电效应是指在金属表面，当光子能量大于金属的功函数时，光子被吸收并引起金属表面的电子逸出，这些电子在金属表面自由移动并形成电流，从而产生光电效应。外光电效应的产生位置在金属表面。

　　因此，内光电效应通常在半导体器件中使用，如太阳能电池，而外光电效应则广泛应用于光电传感器和光电倍增管等设备中。