场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种用于电子设备中的三端口半导体器件。它主要有三个类型：金属氧化物场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor FET，简称MOSFET）、结型场效应管（Junction Field-Effect Transistor，简称JFET）和金属半导体场效应管（Metal-Semiconductor FET，简称MESFET）。

　　其中，MOSFET是最常见和广泛使用的场效应管之一。它有三个主要层次：漏极（Drain）、源极（Source）和栅极（Gate）。MOSFET的工作原理基于栅电场对半导体通道的控制。当在栅极上施加电压时，它会改变半导体通道的导电性，从而控制从漏极到源极的电流。

　　FET相对于另一种常见的晶体管类型（双极型晶体管，如NPN和PNP晶体管）具有一些优势，包括高输入电阻、低功耗和尺寸小等特点。因此，在许多电子设备和集成电路中，FET被广泛应用，用于放大信号、开关电路和逻辑门等应用。

　　场效应管的符号

　　场效应管的作用

　　1、信号放大： FET可以用作放大电路，放大输入信号的幅度。在放大器中，FET能够提供高输入阻抗，低噪声，并在一些情况下实现线性放大。

　　2、开关： FET可用作电子开关。通过控制输入信号的电场，可以控制FET的导电性，从而实现在电路中的开关功能。

　　3、模拟电路： MOSFET在模拟电路中广泛应用，例如在集成电路中构建放大器、滤波器等电路。

　　4、数字电路： FET在数字电路中也有应用，特别是MOSFET在集成电路中的使用，例如在微处理器和存储器芯片中。

　　5、放大器： FET可用于构建各种放大器，包括电压放大器、电流放大器等。

　　场效应管的工作原理

　　MOSFET的工作原理基于通过在栅极上施加电场来调控源极和漏极之间的电子通道。这种电场效应使得MOSFET可以用作放大器、开关等电子器件。