在半导体行业，对 SiC 日益增长的兴趣体现在生产设施的扩大、供应合作伙伴关系，当然还有基于 SiC 的新型元件的大量涌现，Onsemi、三菱电机和 ST 都各自扩大 SiC 产能。

　　Onsemi 扩建 SiC 生产设施

　　10月下旬，Onsemi宣布在韩国富川市建成所谓的世界上最大的SiC制造工厂。在最大产能下，该工厂每年可生产多达 100 万片 200 毫米碳化硅晶圆。

　　通过此次扩张，Onsemi 打算在棕地地点建立一个垂直整合的 SiC 制造供应链，在制造过程的每个阶段都保持严格的质量控制标准。这种方法可以快速扩大用于各种应用（包括电力电子和汽车技术）的碳化硅元件的生产规模。

　　富川工厂将很快开始生产 150 毫米晶圆，并在 2025 年 200 毫米碳化硅工艺合格后转产为 200 毫米晶圆。

　　三菱将投资相干公司的 SiC 产品

　　三菱电机则宣布 对材料、网络和激光技术开发商相干公司 (Coherent) 诞生的新 SiC 业务投资 5 亿美元。这项新投资将进一步建立三菱的 SiC 功率器件业务，并加深与相干公司的现有联系。

　　三菱电机多年来一直从相干公司购买 150 mm SiC 基板来生产 SiC 功率模块。现在，该公司计划投资 6.647 亿美元，从 2026 年开始在日本熊本县建造一座新的 200 毫米碳化硅晶圆厂。

　　为了应对 SiC 功率模块需求的预期增长，该公司正在采取积极措施来稳定其 SiC 衬底需求。这项投资将确保该公司有能力满足客户不断增长的需求，并保持其作为行业领先供应商的地位。

　　ST 为 SiC 功率模块提供灵活的封装选项

　　意法半导体发布了其ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)电源模块，专门用于汽车车载充电器、DC-DC转换器、流体泵和空调系统。这些器件（链接数据表）采用 32 引脚双列直插模制通孔封装。系统设计人员可以从四件装、六件装和图腾柱配置中进行选择。不同的汽车系统可能有不同的功率和尺寸要求，并且可以选择封装配置意味着设计人员可以根据其项目的独特需求来匹配模块。

　　新模块由 1,200 V SiC MOSFET 组成，具有低导通电阻和最小的温度依赖性。该模块封装采用氮化铝 (AlN) 绝缘基板，具有良好的热性能。它们还集成了 NTC 传感器来监控热保护电路中的温度。