为了提高低功耗快速充电应用的效率，德州仪器 (TI) 最近宣布推出 GaN 产品组合的三款新成员，它们的总体占地面积更小。随着设计人员致力于提高 AC-DC 转换器的功率处理能力，低功耗 GaN 技术提供了更小、更轻的解决方案，可提高转换器的性能。

　　与硅相比，GaN 具有许多特性，例如更宽的带隙，使其成为电力电子应用的理想选择。因此，许多组织致力于创造更小、更高效的 GaN FET 供设计人员使用。

　　与硅相比，GaN 的一个主要优点是具有更高的反向电压容限以及改进的导通电阻，使其成为严重依赖低电阻开关的开关电源的理想选择。此外，与硅相比，GaN 具有更快的开关时间，从而最大限度地减少晶体管打开或关闭时的能量损失。TI在其有关低功耗 GaN 技术优势的技术文章中探讨了这些问题。

　　TI GaN 产品线的新成员LMG3622、LMG3624和LMG3626均提供 650 V 反向电压容差，使设计人员能够提高小型电源转换器可处理的最大电压。此外，每个 GaN FET 的导通电阻范围从 270 mΩ 到 LMG3622 的 120 mΩ，使设计人员能够针对其特定应用找到价格和效率之间的最佳权衡。

　　除了 IC 内部 GaN FET 提供的优势外，每个芯片还包含几个关键模块，可简化 LMG362x 系列的开发流程。主要是，内部栅极驱动器允许芯片与行业标准控制器一起使用，确保 GaN FET 的打开和关闭尽可能简单。

　　除了栅极驱动器之外，每个 IC 还配备了电流感应仿真功能，使设计人员能够以节能的方式监控 GaN FET 的输出电流。虽然其他 GaN IC 可能需要直接使用分流电阻器进行输出电流测量，但 LMG362x 系列使用输出电流的按比例复制品来降低功耗并消除对大型无源组件的需求。

　　TI GaN IC 中包含的外设最终使设计人员能够通过减少无源元件的数量并在片上集成更多功能来减小电源转换器的尺寸。另外，LMG362x 系列现已批量生产和预生产。