电力电子领域目前正在不断发展，特别是随着电动汽车、数据中心和可再生能源等高功率解决方案的发展势头强劲。上个月，三大行业领导者——Rohm、Littelfuse 和 Magnachip——推出了他们最新的 MOSFET 技术，每种技术都解决了各自领域的独特挑战。

　　Rohm 的双 MOSFET 在效率和节省空间方面取得了飞跃

　　Rohm 推出了新的100 V 双 MOSFET 解决方案的五种型号阵容。

　　据该公司称，新型 FET 专为通信基站和工业设备中的风扇电机量身定制。这些行业越来越多地从传统的 12 V/24 V 设置过渡到 48 V 系统，以降低电流值并实现更高的效率。在此类系统中，MOSFET 需要承受 100V 的电压以应对电压波动。

　　这些新型 100 V FET 同时满足这些要求，同时在功耗和空间方面提供显着优势。例如，根据 Rohm 的说法，用 Rohm 的一款新型 HSOP8 双 MOSFET 替换两个单芯片 TO-252 MOSFET 可以将占位面积减少 77%。随着工业设备和通信基站追求更紧凑、更高效的设计，这种节省空间的功能变得越来越重要。此外，该系列产品的 N 沟道产品的 R DS(on)值可低至 15.1 mΩ，P 沟道产品的 R DS(on) 值可低至 148 mΩ。

　　这些新产品属于HP8KEx/HT8KEx (Nch+Nch)和HP8MEx (Nch+Pch)系列的一部分。

　　Littelfuse 优化汽车级 MOSFET

　　Littelfuse 还通过IXTY2P50PA扩展了其 MOSFET 产品组合。

　　Littelfuse 表示，这款符合 AEC-Q101 标准的晶体管是其首款汽车级PolarP P 沟道功率 MOSFET。该 MOSFET 的突出特点之一是其低传导损耗，其最大通态电阻为 4.2 Ω。此外，由于 MOSFET 的栅极电荷仅为 11.9 nC，因此可提供出色的开关性能，从而实现快速高效的运行。该 FET 具有 150 mJ 的雪崩能量和 10 V/ns 的动态 dv/dt 额定值，旨在服务于需要耐用性和可靠性的汽车应用。

　　此外，IXTY2P50PA 的紧凑型 TO-252 (DPAK) 封装可实现高功率密度 PCB 设计，从而显着节省空间。这对于旨在优化其应用并在有限空间内实现更强大功能的汽车制造商尤其有利。

　　Magnachip 推出更多 MOSFET 封装类型

　　10 月初，Magnachip 半导体公司推出了第八代 150 V MXT MV MOSFET。

　　MXT MV MOSFET 丰富了 Magnachip 的 40~200 V 沟槽 MOSFET 产品组合。 该新系列的旗舰产品是 MDES15N056PTRH，与之前的迭代相比，其R DS(on)降低了 22% 。具体来说，该器件的 R DS(on)低至 5.6 mΩ，阻断电压为 150 V，非常适合电池管理系统和电机控制等应用。

　　Magnachip 旨在开发小型但高效的 MOSFET，以适应日益紧凑的电子设备。该公司通过推出新的表面贴装型封装（例如 D2PAK-7L (TO-263-7L) 和 PDFN56）来应对这一挑战，提供更灵活的设计选项。此外，MDES15N056PTRH 和 MDU150N113PTVRH 的品质因数 (FOM) 分别提高了 23% 和 39%。这一改进标志着这些 MOSFET 整体性能的飞跃。

　　Rohm、Littelfuse 和 Magnachip 在 MOSFET 技术方面的最新进展都满足了业界对更高效率和更小外形尺寸的迫切需求。虽然每个解决方案针对的用例和应用程序略有不同，但它们都比上一代有所改进，表明该领域仍有发展空间。