英飞凌将1.2kV和2kV的SiC MOSFET半桥引入62mm模块封装

　　英飞凌表示：“该封装使SiC能够用于250kW以上的中等功率应用，其中硅通过IGBT技术达到了功率密度的极限。“对称的内部封装设计为上部和下部开关提供了相同的开关条件。”

　　为了快速更换，主电源端子采用螺钉连接，底板具有用于螺钉安装的孔。控制端子是推入式的，部分部件预涂了热界面材料.

　　英飞凌表示，1.2kV版本提供5mΩ 180A、2mΩ 420A和1mΩ 560A，以及2kV、4mΩ 300A和3mΩ 400A版本，明年第一季度将推出1.2kV 3mΩ和2kV 5mΩ版本。

　　上面提供的阻力似乎是一个重要的数字。有关详细信息，请参阅以下产品页面：

　　FF3MR20KM1HNEW 2.6mΩ 2,000V

　　FF4MR20KM1HPNEW 3.5mΩ 2,000V（附有TIM）

　　FF2MR12KM1HPNEW 2mΩ 1,200V（附有TIM）

　　FF2MR12KM1HNEW 2mΩ 1,200V

　　FF6MR12KM1HNEW 5.5mΩ 1,200V

　　FF1MR12KM1HPNEW 1.5mΩ 1,200V（附有TIM）

　　FF3MR20KM1HPNEW 2.6mΩ 2,000V（附有TIM）

　　FF6MR12KM1HPNEW 5.5mΩ 1,200V（附有TIM）

　　FF4MR20KM1HNEW 3.5mΩ 2,000V

　　FF1MR12KM1HNEW 1.5mΩ 1,200V

　　预计应用将包括太阳能、服务器、储能、车载充电器、牵引、商用电磁炉和电源转换。