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美光新的低功耗内存为元宇宙而生

美光新的低功耗内存为元宇宙而生
技术资料 | 来源:全部 2023-11-22

  美光科技 (Micron Technology, Inc.) 宣布其低功耗双倍数据速率 5X ( LPDDR5X ) DRAM 和通用闪存 (UFS) 3.1嵌入式解决方案在 Qualcomm Technologies 最新的扩展现实 (XR) 平台 Snapdragon  XR2 Gen 2 平台上获得认证。这些低功耗内存解决方案以小型尺寸提供混合现实 (MR) 和虚拟现实 (VR) 设备所需的高速和低功耗。

  美光表示,新的内存解决方案能够跨多个应用程序和传感器进行并发处理,集成虚拟宇宙中不断变化的存在、位置和感官知觉,以实现逼真的沉浸式体验。


  LPDDR5X DRAM 的速度高达 8.533 Gbits/s,并向后兼容 6.4 Gbits/s 的 LPDDR5 速度。UFS 3.1 客户端存储是首款由美光 176 层 NAND 提供支持的 UFS,其存储密度高,占用空间小,适合空间受限的设备。


  Snapdragon XR2 Gen 2 处理器是与 Meta 合作开发的,并在 Meta Quest 3 上首次商用。Snapdragon XR2 Gen 2 平台专为下一代 MR 和 VR 体验而打造,是一种单芯片架构,可实现更薄的耳机,无需外部电池。


  该平台包括升级的 ISP 和全彩超快 12 毫秒视频透视延迟,可实现现实与虚拟世界之间的平滑过渡。其他功能包括高通 Adreno GPU,GPU 性能提高 2.5 倍,支持高达 3k × 3k 显示屏,AI 性能提高 8 倍,支持 10 个并发摄像头和专用 XR 加速块。


  美光 LPDDR5X 被誉为该公司最先进的低功耗内存,凭借其 1-alpha 工艺节点技术 和 JEDEC 功率进步提供更高的能效,其中包括速度扩展、通过 TX/RX 均衡改进信号完整性以及可靠性由于新的自适应刷新管理功能而得到改进。


  与前几代产品相比,LPDDR5X 的能效提高了 24%,非常适合无线 MR 和 VR 耳机,从而延长了充电之间的电池寿命。“在峰值数据速率为 8.533 Gbits/s 时,美光的 LPDDR5X 使 Metaverse 应用程序的数据访问速度提高了 33%,从而实现了快速响应时间,”美光表示。


  适用于 Snapdragon 平台的 128GB UFS 3.1 和 8GB LPDDR5X 设备现已上市。

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