Power Integrations 发布了反激式开关电源 (SMPS) 集成电路系列的最新成员。InnoSwitch3-EP 1,250-V 芯片采用氮化镓 (GaN)，最大输入电压达 1,250 V，效率高达 93%。

　　基于传统硅 (Si) MOSFET 的 SMPS 通常最高效率为 90%。虽然 90% 到 93% 的效率似乎并不是一个显着的增益，但它可以将损失减少三分之一。损耗的任何减少都是显着的，因为这些损耗决定了对昂贵的冷却、散热和整体电源尺寸的需求。

　　当用作主开关晶体管时，新型高压PowiGaN开关提高了开关频率，这意味着更小的无源元件。

　　GaN 具有更高的耐热性和更低的电阻引起的热损失，这两者都减少了对散热的需求。InnoSwitch3 -EP（链接数据表）还将初级侧和次级侧控制器组合在同一芯片中，以减少总体部件数量。

　　在InnoSwitch3芯片中，原边和副边在内部进行通信。最终结果是更小、更高效的电源。

　　除了新的 IC 系列之外，Power Integrations 还发布了具有 60W 连续输出功率和 12V 宽输入范围 (90–480V) 的交流电源参考设计。该参考设计包括完整的规格、物料清单 (BOM)、原理图、两层印刷电路板 (PCB) 布局以及详细的变压器绕组说明。电源板尺寸为 1.80” x 4.24”。

　　该设计包附带 InnoSwitch3 IC 的测试和评估数据、设计说明以及操作说明。最令人印象深刻的是变压器构造的完整文档，包括接线图、剖视图和一整套过程中的照片。

　　对于完全定制的设计，Power Integrations 还提供PI Expert，一种在线电源开发工具。PI Expert 快速启动了新型 GaN 器件和硅基芯片的电源设计流程。

　　理想的晶体管开关只需通过栅极上的电流或电压来打开或关闭电流，而不会产生任何损耗。然而，在现实世界中，晶体管具有称为导通状态漏源电阻 (R DS(on) ) 的阻抗，在导通时会吸收电流。开关关闭时会收集电容电荷 (C oss )。当设备开启时，电容就会放电。在传统 MOSFET 中，随着硅芯片尺寸的增大，R DS(on)下降，而 C oss上升。这些适得其反的特性最终限制了硅 MOSFET 的效率。

　　GaN 具有较低的 R DS(on) 和较低的 C oss，从而提高效率、减少热量并提高开关频率。最终结果是相同尺寸的功能更强大的电力系统，或者尺寸更小、更轻、功能相当的系统。