Power Integrations是专门从事高压集成电路的能效电源转换的专家，近期发布了他们所称为“世界上电压最高的单开关氮化镓(GaN)电源IC”，其中包括一个1250伏特的PowiGaN开关。InnoSwitch™3-EP 1250伏特IC是Power Integrations InnoSwitch系列离线CV/CC QR反激开关IC的最新成员，具有同步整流、FluxLink安全隔离反馈以及一系列开关选项：725伏特硅、1700伏特碳化硅，以及750伏特、900伏特和现在的1250伏特PowiGaN品种。

Power Integrations的专有1250伏特PowiGaN技术的开关损失小于等效硅器件相同电压下的三分之一。这使得电源转换效率高达 93%，从而实现高度紧凑的反激式电源，无需散热器即可提供高达 85 W 的功率。

Power Integrations 技术副总裁 Radu Barsan 表示：“Power Integrations 不断推进高压 GaN 技术开发和商业部署的最先进水平，在此过程中，即使是最好的高压硅 MOSFET 也会被淘汰。我们于 2019 年率先向市场大批量出货基于 GaN 的电源 IC，并于今年早些时候推出了基于 GaN 的 InnoSwitch 产品的 900 伏版本。我们不断开发更高电压的 GaN 技术（此处以我们的新型 1250 V 器件为例），将 GaN 的效率优势扩展到更广泛的应用，包括目前采用碳化硅技术的许多应用。”

使用新型InnoSwitch3-EP 1250 V IC 的设计人员可以自信地指定 1000 V 的工作峰值电压，这允许按照行业标准从 1250 V 绝对最大值降额 80%。这为工业应用提供了巨大的空间，并且在具有挑战性的电网环境中特别有价值，在这种环境中，鲁棒性是抵御电网不稳定、浪涌和其他电力扰动的重要防御措施。