Qorvo 制造的第 4 代碳化硅场效应晶体管 (SiC FET) 可承受高电压和高电流。与传统硅晶体管相比，碳化硅场效应晶体管具有多种优势，包括损耗更小、效率更高以及热性能更优。由于具有这些优点，SiC FET 非常适合用于各种电力电子应用。

　　Qorvo 的第 4 代 SiC FET 采用了最新的 SiC 技术，能够提供最高级别的性能。该器件针对高压功率转换器进行了优化，可管理高达 1,200 V 的电压（Qorvo 的 Gen 3 SiC 产品组合还包括 1.7 kV 器件）。此外，它还具有低导通电阻 (RDS(on))，从而减少了热损耗和对外部散热器的需求。

　　Qorvo 第 4 代 SiC FET 的另一个重要特性是坚固耐用。此外，它的栅极电荷低，可减少器件开启和关闭所需的能量，从而简化栅极驱动器的设计并提高其效率。

　　TOLL 封装的优势

　　表面贴装无引线 TO（TOLL）封装适用于空间有限的应用，与传统的 TO 封装相比，它在尺寸、性能和装配方面都具有优势。TOLL 封装的主要优势如下：

　　尺寸更小：TOLL 封装可表面贴装且无引线，与传统 TO 封装相比，尺寸更小，占用空间更小。

　　高性能：TOLL 封装专为高性能功率器件而设计，与传统 TO 封装相比，具有出色的导热性、低寄生电容和电感、高功率密度和更好的开关性能。

　　易于组装：TOLL 封装可表面贴装，便于在自动化制造系统中进行高效组装。

　　新器件可满足服务器电源对尺寸、效率和成本的需求，由于处理器耗电量大，服务器电源的功率密度已超过 100 W/in.3，因此需要在相同尺寸（每个 AC/DC PSU >3 kW）下提供更大功率。同样，固态断路器也需要能够满足空间受限应用要求的解决方案，在这些应用中，主动冷却是一种选择，而且必须能够承受大电流和高电压。

　　Qorvo 的新型 TOLL 封装设备可满足上述要求，因为它们具有以下优点

　　缩小了封装占地面积

　　更薄的封装，允许更厚的散热片

　　低功率损耗

　　采用表面贴装技术封装，可自动装配到 PCB 子卡上，降低成本

　　每个封装电阻低，无需并联多个 FET

　　高电流耐受能力和更长的短路耐受时间

　　抗噪能力强，响应时间长

　　图 1 显示了与传统 D2-PAK 封装相比，TOLL 占用空间和高度更小的优势。

　　第 4 代碳化硅场效应晶体管在 600-750-V 级功率场效应晶体管的 RDS(on) 和输出电容等关键性能指标方面具有无与伦比的性能。此外，该器件在 TOLL 封装中的 RDS(on) 为 5.4 mΩ，比 GaN 晶体管、SiC MOSFET 和同类最佳硅 MOSFET 低 4 倍至 10 倍。SiC FET 的 750 V 额定电压也比竞争技术高出 100 至 150 V，从而大大增加了处理瞬态电压的设计裕度。

　　如图 1 所示，TOLL 封装的基底面比同类 D2PAK 表面贴装替代品小 30%，高度（2.3 毫米）比同类 D2PAK 表面贴装替代品矮 50%。TOLL 封装还具有开尔文源极连接功能，能以更清晰的栅极波形实现可靠、快速的大电流开关。