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Flash内存和ddr内存的区别,弄清楚才不会上当

Flash内存和ddr内存的区别,弄清楚才不会上当
技术资料 | 来源:全部 |标签: Flash内存 , ddr内存 2024-02-15

Flash内存,通常称为闪存,也是内存器件的一种。目前闪存已经成为数字信息设备的主流存储介质,现在我们简单介绍一下Flash内存的主要特点。


闪存是一种非易失性( Non-Volatile )内存,在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘,这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。

Flash内存


NAND 闪存的存储单元则采用串行结构,存储单元的读写是以页和块为单位来进行(一页包含若干字节,若干页则组成储存块, NAND 的存储块大小为 8 到 32KB ),这种结构最大的优点在于容量可以做得很大,超过 512MB 容量的 NAND 产品相当普遍, NAND 闪存的成本较低,有利于大规模普及。


一、Flash闪存和内存的区别


RAM:电源关闭数据不保留。存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。


Flash:电源关闭数据保留。结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势)。


二、FLASH的特点有以下四点


1、可靠性


采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。


2、耐用性


在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。


3、易于使用


可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。


由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。


在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。


三、Flash内存分类


目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。

Flash内存


1、NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。


2、NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。


关于Flash内存今天就说这么多,闪存通常作为便携式电子设备的存储介质,在市场上名牌众多,下期文章我们将为大家分享Flash内存的几个优质品牌。

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